GaN Systems公司推出全球最高额定电流的氮化镓功率晶体管

全球氮化镓（GaN）功率半导体行业的领先企业GaN Systems公司发布120 A, 650 V GaN E-HEMT产品，凭借业界最强大的高性能氮化镓晶体管系列延续其领导地位。

 

随着功率水平不断上升，提出了更高的工作电流要求。在汽车、工业和可再生能源行业，氮化镓的众多优势可应用于现今更高的功率水平。这项开创性产品即将于2018年3月4日至8日在得克萨斯州圣安东尼奥举行的应用电力电子会议与博览会（Applied Power Electronics Conference & Exposition / APEC）上展出，展位编号#1041。

 

Gan Systems的120 A, 650 V GaN E-HEMT产品令功率转换系统的功率密度增加20至500 kW，包括汽车牵引逆变器、超高功率车载充电器（on-board chargers / OBC）、大型能量存储系统和工业电机驱动器。这种晶体管具有GaN Systems公司最高额定电流部分的电流能力的两倍，使客户能以相同的体积将功率处理效率提高一倍。

 

该产品（GS-065-120-1-D）作为模块售予客户构建模块，是功率半导体行业中最低的RDS(on)，最高电流650 V GaN HEMT。 根据外形因素衡量，模块占高达40%的市场份额，是高功率电子设备的重要外形因素。客户将使用该半桥、全桥和六包模块拓扑的裸片产品来创建增强型高功率设计。

 

GaN Systems公司首席执行官Jim Witham表示：“这是市场上最重要的氮化镓模块产品，并与嵌入式和传统模块技术兼容。作为我们旗舰产品的延伸，它涵盖了氮化镓技术和我们的氮化镓功率晶体管方法的所有优势 - 易于使用、高功率密度和高效率 - 使电源系统尺寸更小、成本更低并实现前所未见的功率水平。”