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SK海力士计划投资约130亿美元新建先进芯片封装工厂

来源:财联社 发布时间:2026-01-13 52
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SK海力士宣布投资129亿美元在韩国清州建设先进HBM封装厂,2025年底投产,以应对AI算力爆发带来的高带宽存储需求。

1月13日,韩国SK海力士周二表示,公司已决定投资19万亿韩元(约合129亿美元)在韩国建设一家先进的芯片封装厂,以满足与人工智能(AI)相关的、激增的存储芯片需求。

 

该芯片制造商在一份声明中表示,新工厂将位于韩国清州市,将于今年4月启动建设,目标是明年年底完工。该公司在清州已经有多个生产设施。

 

SK海力士表示,全球AI领域的竞争不断加剧,正推动对AI专用存储器的需求急剧上升,这也凸显出公司需积极应对市场对高带宽存储芯片(HBM)日益增长的需求。

 

该公司预计,从2025年到2030年,HBM市场将以年均33%的速度增长。

 

DRAM是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存,DRAM能实现数据随机高速存取,广泛应用于服务器、手机、PC等各类需要高速数据处理的场景。

 

而HBM是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM,是人工智能 (AI) 应用的核心部件,随着AI产业爆发,其需求也迅猛增长。相对于传统DRAM,HBM的核心优势集中在带宽、功耗、空间利用率三大维度,完美适配AI大模型训练、高性能计算等对数据吞吐要求极高的场景。

 

麦格理证券研究部(Macquarie Equity ‌Research)的数据显示,作为英伟达的核心HBM供应商,SK海力士去年在HBM市场中占据主导地位,市占率高达61%;其次是美光和三星电子,市占率分别为20%和19%。

 

SK海力士将于下周公布2025 财年第四季度(截至12月31日)收益,外界普遍预计,由于AI引发的巨大需求,该公司业绩将实现大丰收。

 

上周四,SK海力士的本土竞争对手、全球最大的内存芯片制造商三星电子发布了2025年第四季度初步业绩,显示受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮,当季公司营业利润大幅增长,且好于市场预期。

 

根据初步业绩,三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元(约合138.2亿美元‍),较上年同期飙升208%,高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。

 

近几个月来,存储芯片价格持续上涨。一方面,芯片产业正转向人工智能相关芯片的生产,传统存储芯片产能因此受到挤压;另一方面,训练和运行人工智能模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。

 

SK海力士和三星均受益于内存芯片价格的大幅上涨。本周初有消息称,三星与SK海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价,今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

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