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AOI发布400mW超高功率激光器,加速800G CPO架构商用进程

来源:Ringier 发布时间:2025-12-26 70
工业激光激光设备零部件光学材料与元件 技术前沿产业动态
这款历时数年研发的400mW激光器,解决了因激光器线宽过宽或噪声系数过高而限制性能的应用场景。它能直接接入半导体芯片级系统,为超大规模数据中心运营商提供稳定可靠的高性能光源,适用于共封装光学、硅光子学及其他对单一稳定波长精度与功率有严苛要求的领域。

近期,Applied Optoelectronics Inc.(AOI)宣布推出一款新型400mW窄线宽泵浦激光器,旨在满足人工智能数据中心对硅光技术与共封装光学技术日益增长的需求。该公司是光通信与混合光纤同轴网络产品的领先供应商,其产品为互联网提供核心动力。

 

 

这款历时数年研发的400mW激光器,解决了因激光器线宽过宽或噪声系数过高而限制性能的应用场景。它能直接接入半导体芯片级系统,为超大规模数据中心运营商提供稳定可靠的高性能光源,适用于共封装光学、硅光子学及其他对单一稳定波长精度与功率有严苛要求的领域。该400mW激光器驱动的芯片还可作为高效外部光源,为多路光通信信道提供必要的泵浦功率。

 

核心优势包括:

  • 满足800G/1.6T功耗预算:提供充足光功率以克服耦合、分路及路由损耗,同时确保AI交换机专用集成电路附近的热量不超限
  • 支持共享与外部激光架构:通过单一集中式光源,可稳定为多路硅光子通道或多波长提供能量输入
  • 增强硅光子器件稳定性:最大限度降低环形调制器、微环激光器及片上非线性元件的波长漂移与噪声

 

提升系统良率与运行稳定性:减少校准工作量,简化波长锁定流程,并在系统扩展时保持各通道性能的一致性。

 

关键性能规格:

  • 采用AOI成熟可靠的掩埋异质结结构激光器平台,基于分布反馈式激光技术
  • 在50°C工作温度下输出光功率超400mW
  • 具备窄线宽特性

 

“先进架构需要高性能光源支撑。过去数年间,我们持续优化技术指标以打造能满足当前光网络需求、并专门支持未来共封装光学架构的超高功率激光器,”AOI高级副总裁兼北美区总经理Fred Chang表示,“这项新技术将激光器的功率、相干性与稳定性标准提升至全新高度,为客户提供解锁可扩展光输入输出能力、简化系统设计、加速行业向800G及以上共封装光学转型的理想解决方案。”

 

目前该产品已向部分客户提供样品,预计将于2026年下半年实现大规模量产。

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