安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

12月4日，安森美与英诺赛科宣布签署一份谅解备忘录（MoU），旨在评估加速氮化镓（GaN）功率器件部署的机遇，首先从40-200V功率器件入手，以显著提升客户采用率。该备忘录概述的合作将安森美在集成系统和封装领域的领先优势与英诺赛科成熟的GaN技术和大规模量产能力相结合，从而为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和AI数据中心市场提供高性价比、高效率的GaN产品。

GaN 半导体器件凭借更高的开关速度、更小的尺寸和更低的能耗，能够在更小的空间内提供更大的功率。迄今为止，有限的产品供应和产能不足制约了GaN 在低压和中压领域的应用。通过此次合作，安森美和英诺赛科将携手突破这些阻碍，加速实现更优化的GaN 解决方案在全球主流市场的大规模部署。

• 工业领域：机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器及优化器

• 汽车领域：DC-DC转换器、同步整流

• 电信基础设施：DC-DC转换器与负载点转换器

• 消费及大众市场：电源、适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、音频设备、轻型电动汽车、电动工具、机器人等

• AI数据中心：中间总线转换器、DC-DC转换器、备用电池

对于安森美的客户而言，与英诺赛科的合作将带来如下优势：

• 加快产品上市速度：凭借安森美的系统专业知识以及英诺赛科成熟的 GaN 技术和制造工艺，实现快速原型制作、加速设计导入，并迅速进入主流市场。

• 可扩展制造：依托安森美全球集成与封装经验及英诺赛科成熟的 GaN 产能，实现真正面向大众市场的规模化生产，满足大批量产能爬坡需求。

• 更低的系统成本：优化封装、减少元器件数量和简化热管理，实现更紧凑的设计并降低整体系统成本。

“随着各行各业电力需求的增长，GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今为止，在低压和中压领域，成本和供应限制了其广泛应用。通过与英诺赛科的合作，我们有望利用业界最大的GaN生产基地，迅速扩大我们面向全球客户的GaN产品交付，推动在主流电力应用中的普及。”安森美企业战略副总裁 Antoine Jalabert表示。

“GaN技术对于改进电子产品、打造更小、更高效的电源系统，节约电力以及减少二氧化碳排放至关重要。英诺赛科很高兴能与安森美探索战略合作机遇，在全球范围内扩大和加速GaN 电源技术的应用，并依托安森美丰富的产品组合构建系统集成平台。”英诺赛科产品与工程高级副总裁孙毅表示。

完整的智能电源产品组合

预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024-2030年期间复合年增长率预计达42%¹。此次与英诺赛科的合作将进一步拓展安森美智能电源产品组合，该产品组合现已涵盖硅、碳化硅（SiC）和氮化镓技术。

这些技术的结合使安森美能够为AI数据中心、汽车、工业和消费类应用提供最佳电源系统。这一完整的低压和中压产品组合巩固了安森美作为领先的全集成电源系统供应商的地位，助力客户在全球电气化和人工智能能源需求持续激增的背景下，最大限度地提高性能和能效。

时间安排与供货情况

安森美预计将于2026年上半年开始提供样品。

¹来源:YolePower GaN 2025