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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块,提高效率和可靠性

来源:Vishay 发布时间:2025-12-03 52
电子芯片其他 产业动态
Vishay推出的1200 V SiC MOSFET功率模块,采用薄型MAACPAK PressFit封装,适于中高频应用,节省空间,同时降低寄生电感,实现更洁净的开关特性。

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两种新型1200 V MOSFET功率模块---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120,提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分别有四颗和六颗MOSFET的模块,采用薄型MAACPAK PressFit封装,是先进的碳化硅(SiC)技术和坚固的传递模塑结构的理想组合。

 

 

日前发布的功率模块集成Vishay新一代SiC MOSFET与用于温度感测的负温度系数(NTC)热敏电阻,以及具有低反向恢复时间的快速本征SiC二极管,从而降低开关损耗,提高效率,适用于光伏逆变器、电动(EV)和混合电动(HEV)汽车充电器、电机驱动器、焊机、DC/DC转换器、UPS、暖通空调(HVAC)系统、大型电池储能系统、通信电源等。

 

为提高可靠性,VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用坚固的传递模塑工艺技术,产品生命周期远超市场上现有的传统解决方案,同时增强热阻性能。此外,器件高度低,有助于降低寄生电感和电磁干扰(EMI),节省空间,实现更高效、更干净的开关特性。模块PressFit引脚矩阵排列符合行业标准布局,便于轻松替换现有设计中的竞品解决方案,提高性能。

 

VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑结构,导通电阻低至38 m,+80 C下连续漏极电流为35 A, 而VS-MPX075P120则采用三相逆变器拓扑结构,导通电阻为75 m,连续漏极电流为18 A。两种器件都具有低容值高速开关功能,最高工作结温达+175 C。功率模块符合RoHS标准,无卤素。

 

VS-MPX075P120和VS-MPY038P120现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。

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