瑞萨电子推出第六代DDR5 RCD，为RDIMM提供9600MT/s传输速率

2025 年 11 月 12 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存时钟驱动器（RCD）。

这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒（MT/s）的数据速率，超越当前行业标准。与瑞萨第五代（Gen5）RCD 8800MT/s的性能相比，本次突破实现了大幅提升，为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。

瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性

带宽较瑞萨第五代RCD提升10%（9600MT/s vs 8800MT/s）

向后兼容第五代平台：提供无缝升级路径

增强信号完整性与能效：支持AI、HPC，及LLM工作负载

扩展的决策反馈均衡架构：提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整，实现卓越的裕量调谐

决策引擎信号遥测与裕量调节（DESTM）：改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈，以支持更高速度运行

新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能（AI）、高性能计算（HPC），及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用，协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业，及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀，瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。

Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示：“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增，进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度，成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术，并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”

Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示：“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作，包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今，我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中，覆盖多个SoC平台，以满足AI、HPC，及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”

供货信息

RRG5006x第六代RCD专为满足下一代服务器平台的严苛要求而设计，具备卓越的性能、可靠性，与可扩展性。目前，瑞萨已开始向包括所有主流DRAM供应商在内的特定客户开放全新RRG5006x RCD样品，预计于2027年上半年启动量产。

瑞萨亮相SC25展会

瑞萨将于11月16日至21日在美国圣路易斯举办的SC25大会上展示其内存接口解决方案，展位号为#4101。