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SK keyfoundry携手LB Semicon联合开发Direct RDL,推动半导体封装技术升级,强化汽车高性能芯片竞争力

来源:SK keyfoundry 发布时间:2025-07-15 79
智能制造电子芯片半导体测试设备 电子芯片封测产业动态
SK keyfoundry与LB Semicon联合开发的Direct RDL技术实现15微米金属布线厚度与70%芯片面积布线密度,突破传统扇出型封装性能极限。

2025年7月15日,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布,该公司已携手LB Semicon成功联合开发基于8英寸晶圆的关键封装技术Direct RDL(重布线层),并完成了可靠性测试。此举标志着新一代半导体封装技术的重要突破,也大大增强了汽车半导体产品的竞争力。

 

RDL指的是构建于半导体芯片表面的金属布线与绝缘层,用于实现芯片与基板之间的电连接。该技术主要应用于WLP(晶圆级封装)和FOWLP(扇出型晶圆级封装)流程,有助于增强芯片与基板的互联性并降低信号干扰。此次由SK keyfoundry与LB Semicon联合开发的Direct RDL技术,支持高电流容量的功率半导体,性能超越同类技术。该工艺可实现金属布线厚度高达15微米、布线密度覆盖芯片面积的70%,不仅适用于移动和工业领域,更适合汽车应用。尤其值得关注的是,该技术满足国际汽车半导体质量标准 AEC-Q100中的Auto Grade 1等级要求,确保芯片在–40℃至+125℃的严苛环境下稳定运行,是目前少数完全适用于汽车产品的解决方案之一。此外,SK keyfoundry还提供了设计指南(Design Guide)与工艺开发工具包(PDK),可为客户提供量身定制的工艺解决方案,助力实现更小芯片尺寸、更低功耗与更具成本效益的封装。

 

作为半导体封装与测试专业企业,LB Semicon表示,借助SK keyfoundry对半导体工艺的深度理解与先进制造能力,大幅缩短了开发周期。通过将自身后段制程技术与SK keyfoundry的前段代工技术整合,双方成功实现了晶圆级Direct RDL的最优化结构,预计将显著提升生产效率。

 

LB Semicon首席执行官Namseog Kim表示:"此次Direct RDL的联合开发是强化SK keyfoundry与LB Semicon技术竞争力的重要里程碑。未来我们将继续深化合作,共同在高可靠性基础上,扎根下一代半导体封装市场。"

 

SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示:"本次与封装专家LB Semicon的协作,不仅验证了我们在半导体制造领域的先进综合能力,也标志着我们成功将其融入尖端封装工艺。SK keyfoundry将继续携手LB Semicon,不断深化合作,致力于成为全球领先、具备高性能与高可靠性能力的优质代工企业。"

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