长鑫科技IPO启幕：HBM量产前夜的中国存储冲锋号

全球存储芯片的零和博弈正在愈演愈烈。

 

市场方面，韩国存储三巨头SK海力士、三星、美光以及国内龙头长鑫存储宣布停产DDR4 内存，引发停产前内存市场价格疯涨。HBM战场角逐激烈。

 

图片来源  / 豆包

 

此时，长鑫存储母公司——长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）开始大动作。7月7日，中国证监会资本市场电子化信息披露平台显示，长鑫科技已启动上市辅导备案。

 

 

备案信息显示，长鑫科技成立于2016年6月13日，注册资本达601.9亿元，无控股股东。翻看我国存储芯片的自主发展历史来看，长鑫科技、长江存储都是绕不开的国产脊梁。

 

然而，成立近二十年的长鑫科技为什么选择此时启动IPO呢？荣格电子芯片认为，主要有以下几个原因：

 

• HBM量产窗口的生死竞速

 

据韩媒Financial News披露，长鑫存储计划于2025年底交付HBM3样品，2026年全面量产，并剑指2027年攻克HBM3E技术。这一时间轴与IPO进程高度重合：从辅导备案到挂牌约需1-2年，2026年中恰是HBM产能释放与IPO募资落地的关键交汇点。

 

此时上市，可为HBM产线扩充（目标月产能5万片晶圆）注入超300亿资金，直接对冲三星、SK海力士的HBM4技术围剿。

 

• 濒临国产替代黄金窗口

   

全球DRAM市场95%份额被三星、SK海力士、美光垄断，但格局正悄然生变：长鑫科技DDR4市占率已达5%，LPDDR5搭载华为Mate70量产，2025年出货量预计暴增50%。此时IPO募资，是抵御巨头狙击、抢占国产替代黄金窗口的生死筹码。

 

• 政策压舱石与金融改革东风

 

2025年6月科创板“1+6”新政落地，明确鼓励硬科技企业上市。长鑫科技是国产DRAM唯一量产IDM，按照其融资过往估值来看，市值将达到千亿级。它的上市，必然将优化科创板结构。本次上市辅导机构中金公司直言：“其资本化进程将重构产业链估值体系”。

 

• 瞄准高端赛道：DDR5与HBM的双轨突击

 

长鑫科技在夯实自有技术后，有两个明确赶超目标：

向DDR5转型。2025年底目标占比60%，市场份额从Q1的1%跃升至7%，直指服务器与高端PC市场；  

 

破局HBM。跳过HBM2直攻HBM3，技术路线比韩企更激进。若2026年量产成功，将打破SK海力士（HBM市占率90%）的垄断，为国产AI芯片提供关键存储支撑。

 

长期以来，长鑫科技放弃并购捷径，选择自主研发路径，节省8亿美元专利授权费投入Xtacking架构研发。其13449项专利量位居中国大陆半导体企业第二（集微咨询2024年数据），在3D堆叠、低功耗设计等领域构建起技术壁垒。而这，也是长鑫科技上市的底气所在。

 

当资本市场的钟声敲响，长鑫科技承载的已不仅是千亿估值，更是一个国家对存储芯片霸权的破壁宣言。

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