SiC激光剥离技术新进展，单片成本降低约26%

自深圳平湖实验室官微获悉，近日，深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片成本降低约26%，达到国际先进水平，已完成三批次的小批量验证，良率100%。

上述成果核心性能指标达到国际先进水平，在关键技术及设备上实现了自主可控，保障了供应链安全，降低了对外依赖风险，工艺成熟可靠，可快速实现产业化。

据悉，SiC单晶材料的高硬度、极高脆性、高化学稳定性等特性导致其极难加工，行业主流采用多线切割技术进行SiC衬底的切割加工，单片总材料损耗在280-300 μm，而6inch的SiC衬底成品厚度在350um左右，相当于材料损耗率在46%左右。深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发，旨在大幅降低碳化硅衬底的切割损耗，从而降低碳化硅衬底的成本，促进大尺寸SiC衬底规模化产业应用。