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东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

来源:东芝 发布时间:2025-05-20 349
电子芯片 电子芯片封测产业动态
东芝推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET,这四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度。

中国上海,2025520日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。

 

这些器件配备其最新的[1]3SiC MOSFET技术,并采用紧凑型DFN8×8封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

 

 

四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3SiC MOSFET的器件,与TO-247TO-247-4L(X)等通孔型封装相比,其体积减小90%以上,并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件,从而降低开关损耗。

 

DFN8×8是一种4引脚[3]封装,支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响,实现高速开关性能;以TW054V65C为例,与东芝现有产品相比[5],其开通损耗降低了约55%,关断损耗降低约25%[4],有助于降低设备中的功率损耗。

 

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线,为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

 

 

测量条件:VDD400VVGS18V/0VID20ATa25°CL100μHRg(外部栅极电阻)=4.7Ω

续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。(截至20255月,东芝对比结果)

1 TO-247DFN8×8封装的导通损耗(Eon)和关断损耗(Eoff)比较

 

 

——应用

  • 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
  • 电动汽车充电站
  • 光伏逆变器
  • 不间断电源

 

——特性:

  • DFN8×8表面贴装封装,实现设备小型化和自动化组装,低开关损耗
  • 东芝第3SiC MOSFET
  • 通过优化漂移电阻和沟道电阻比,实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
  • 低漏源导通电阻×栅漏电荷
  • 低二极管正向电压:VDSF1.35V(典型值)(VGS5V

 

——主要规格

注:

[1] 截至20255月。

[2] 电阻、电感等。

[3] 一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。

[4] 截至20255月,东芝测量值。请参考图1

[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3SiC MOSFET

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