德国企业宣称气相生长超薄硅片制造的异质结太阳能电池效率达24.4%

近日，德国硅片制造商NexWafe GmbH宣布，其利用超薄硅片制造的异质结（HJT）太阳能电池实现了24.4%的光电转换效率。

该公司表示，这一效率是在一个未具体说明的M6 HJT商业生产线上实现的，并未指明结果是否经过独立第三方认证。

“NexWafe的直接气体到硅片工艺完全取代了传统的直拉（CZ）硅片，同时通过减少材料损耗、降低40%的能源消耗以及在电池生产中取消锯切损伤蚀刻工艺步骤，显著降低了成本，”公司补充道。“EpiNex硅片的氧含量也比传统CZ硅片低20倍，这提高了热稳定性并有助于提升电池性能。”

此外，NexWafe还表示，其与瑞士电子与微技术中心（CSEM）合作开发的钙钛矿-硅串联太阳能电池实现了28.9%的光电转换效率。

该制造商声称，其EpiWafers技术可以帮助模块生产商在无需升级生产线的情况下实现显著更高的效率。公司还表示，该技术能够实现超薄硅片的生产，并已在德国弗莱堡的试验线上进行了演示。

NexWafe开发并生产直接由低成本原材料生长的单晶硅硅片。其连续、直接的气体到硅片制造工艺省去了传统硅片制造依赖的多晶硅生产和晶锭拉制等昂贵且耗能的中间步骤。据称，该工艺还将浪费降至最低，硅片生产成本降低高达30%。此外，公司表示，该工艺在制造过程中减少了70%的二氧化碳排放。

NexWafe计划在2025年6月前在德国萨克森-安哈尔特州的比特费尔德地区建成并投产其外延设施。

“这一创新系统采用先进的加热系统和常压化学气相沉积技术，在1.3米×50厘米的面积上沉积单晶硅，相当于一次通过可生产十四块G12硅片，”公司解释道。“凭借每分钟5微米的沉积速率和总厚度变化（TTV）低于40%的温度均匀性，这一平台在制造可扩展性方面代表了重大突破。”