耐晶科技推出SERENO：集成计量的多功能高产能湿法蚀刻与清洗解决方案，支持6英寸、8英寸及12英寸晶圆

近日，耐晶科技隆重推出最新的多腔室设备SERENO - 专为湿法蚀刻与清洗应用而设计。

 

SERENO具有卓越的性能与高度的灵活性——配备了集成计量系统，用于精确控制晶圆厚度和粗糙度；内部化学供应系统支持多种工艺化学品，并具备集成混合、配比和化学分析能力，确保在晶圆拥有广泛应用性与最佳适应性。

 

SERENO占地仅12平方米，每小时可高效处理200片晶圆。该平台专为前端（FEOL）和后端（BEOL）应用设计，旨在满足半导体行业对更高性能、更高精度及更高成本效益的需求，是未来半导体制造的理想选择。

 

高性能与紧凑设计的完美结合

 

SERENO在晶圆处理和工艺控制方面具备高度灵活性，支持6英寸、8英寸和12英寸等多种晶圆尺寸。其多功能处理系统能够高效处理从低于100微米的超薄晶圆到厚度超过2毫米的键合晶圆。高性能的工艺腔室结合创新的化学品分配和扫描控制，提供了最大的工艺自由度，确保晶圆处理的卓越表现。

 

耐晶科技首席营销官Christian Kleindienst表示：“SERENO在紧凑的空间实现了高性能的晶圆湿法蚀刻与清洗，同时也充分发挥了单片晶圆技术的灵活性，不仅满足了客户对高效单片晶圆解决方案的需求，还有效降低了企业运营成本，是替代传统批量设备的理想之选。”

 

 

SERENO主要特性

 

高产能：每小时处理高达200片晶圆。

占地面积：仅12平方米。

先进的工艺控制：定制化晶圆扫描与精确液体分配。

集成计量：内置厚度与粗糙度计量，提供实时反馈，确保工艺一致性与质量。

高性能腔室：行业领先的液体流量与排气性能，确保无交叉污染。

多功能化学品供应：内部储存可支持多达三种工艺化学品，配有双90升储罐，确保工艺连续性。

灵活的晶圆处理：支持6英寸、8英寸和12英寸晶圆，包括超薄和易脆称底，并具备多晶圆尺寸的桥接工具功能。

 

SERENO应用领域

 

表面清洗

颗粒去除

聚合物去除

残留物去除

背面/倒角清洗

晶圆清洗

薄膜与金属蚀刻

背面/倒角薄膜蚀刻（氮化硅 | 二氧化硅 | 多晶硅）

金属蚀刻（钛 | 镍 | 银 | 金 | 铝 | 钨 | 铜等）

底部金属层蚀刻（银 | 镍 | 钛等）

称底蚀刻

减薄

应力消除

表面调理

Via显露

支持的称底

硅（Si）| 碳化硅（SiC）| 氮化镓（GaN）| 砷化镓（GaAs）| 氧化铝（Al₂O₃）| 氧化锌（ZnO）

 

供货信息

SERENO现已接受订单，首批交付将于2025年第一季度开始。