三星、SK海力士预计2024年芯片价格将保持坚挺

全球最大的两家存储芯片制造商三星电子公司（Samsung Electronics Co.）和SK海力士公司（SK Hynix Inc.）预测，由于对人工智能应用至关重要的高性能芯片的需求不断增长，DRAM和高带宽内存（HBM）的价格今年将保持坚挺。

三星电子开发业界首款 12 层 HBM3E DRAM 堆栈，每个堆栈容量为 36 GB（图片由三星电子提供）

为了满足需求，他们已将超过20%的DRAM生产线转换为HBM生产线。

因此，两家公司在5月9日至10日由三星证券主办的投资者关系会议上表示，DRAM产量将随着需求而减少。

在IR活动期间，这两家韩国芯片制造商被有关其积压订单的问题轰炸。据业内人士透露，与会者特别希望确认SK海力士最近关于其HBM供应订单的言论。

上周，SK海力士首席执行官郭能贞在新闻发布会上表示，在产量方面，其HBM芯片今年已经售罄，2025年几乎售罄。

SK的一位官员告诉机构投资者，它每年都会以具有约束力的合同提供HBM芯片。合同规定了供应量、付款方式和截止日期。

“根据截至今年年底的产能，我们明年计划的所有生产都已预订，”他说。

HBM3E价格上涨

八层HBM3E占其主要客户英伟达（Nvidia）的大部分订单。

“HBM3价格的下跌将被HBM3E价格的上涨所抵消。因此，我们将能够将利润率保持在当前水平。”他说。

三星电子表示，其HBM产品也已售罄。

“考虑到供需情况，HBM 在2025年不会供过于求。”三星电子IR官员表示。

三星官方指出，该公司已经缩小了与SK海力士在八层HBM3E芯片方面的差距，同时引领了12层HBM3E市场。

三星计划最早在第二季度开始生产 12 层 HBM3E 芯片。

HBM3E是第五代高性能、大容量芯片，或HBM3芯片的扩展版本。关于HBM4，三星将于明年开发第六代HBM，并于2026年量产。

从HBM4开始，三星将采用混合键合，将DRAM的顶部和底部直接与铜连接起来。

DRAM、SSD的稳定价格

两家公司还对传统DRAM和固态硬盘（计算机中的一种存储设备）给出了乐观的价格前景。

“我不认为今年DRAM价格会下降，”三星官员说。“SSD需求的增加是一个长期趋势，而不是短期趋势。

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https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202405130013