快讯│长飞先进6英寸碳化硅晶圆及外延项目拟于明年7月投产

4月1日，根据长飞先进官微消息，湖北卫视《湖北新闻》栏目以“冲刺一季度开门红｜打造全球化合物半导体产业创新‘灯塔’”为题，专题报道了湖北化合物半导体产业布局与创新研发成果。其中，重点关注了长飞先进武汉基地项目建设进度。

据《湖北新闻》报道，长飞先进武汉基地项目正加速推进：预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块，产能全国第一。

据此前“湖北工信”消息显示，长飞先进半导体武汉基地于2023年9月1日开工。项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。