供需大厅

登录/注册

公众号

更多资讯,关注微信公众号

小秘书

更多资讯,关注荣格小秘书

邮箱

您可以联系我们 info@ringiertrade.com

电话

您可以拨打热线

+86-21 6289-5533 x 269

建议或意见

+86-20 2885 5256

顶部

荣格工业资源APP

了解工业圈,从荣格工业资源APP开始。

打开

快讯│长飞先进6英寸碳化硅晶圆及外延项目拟于明年7月投产

来源:荣格电子芯片综合整理 发布时间:2024-04-01 308
电子芯片设计/电子设计自动化(EDA)设计/电子设计自动化(IP类软件)半导体工艺设备半导体工艺材料/气体/化学品 电子芯片设计电子芯片制造电子芯片封测
收藏
长飞先进半导体武汉基地最新进展~

41日,根据长飞先进官微消息,湖北卫视《湖北新闻》栏目以“冲刺一季度开门红|打造全球化合物半导体产业创新‘灯塔’”为题,专题报道了湖北化合物半导体产业布局与创新研发成果。其中,重点关注了长飞先进武汉基地项目建设进度。

 

据《湖北新闻》报道,长飞先进武汉基地项目正加速推进:预计今年6月封顶,明年7月投产,达产后预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块,产能全国第一。

 

 

据此前“湖北工信”消息显示,长飞先进半导体武汉基地202391日开工。项目总投资预计超过200亿元。其中,项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

收藏
关注微信公众号 - 荣格电子芯片
聚焦电子芯片制造领域的技术资讯、企业动态以及前沿创新,涵盖半导体、集成电路、贴片封装等多个行业领域的解决方案。
推荐新闻