字节跳动，投了一家存储公司

据外媒theinformation透露，字节跳动投资了一家名为InnoStar semiconductor的半导体公司。报道指出，该消息还获得了字节跳动的确定，按照字节跳动的说法，此举是为了帮助公司推动虚拟现实耳机的开发。

据资料显示，InnoStar semiconductor就是昕原半导体（上海）有限公司，该公司成立于2019年，专注于ReRAM新型存储技术及相关芯片产品的研发，涵盖高性能工控/车规SoC/ASIC芯片、存算一体（Computing in Memory,CIM）IP及芯片、系统级存储（System-on-Memory,SoM）芯片三大应用领域。

该公司官网表示。作为国内ReRAM企业，昕原半导体掌握一体化闭环技术能力，覆盖器件材料、工艺制程、芯片设计、IP设计和中试量产等诸多环节。由昕原自主建设的先进制程ReRAM 12寸中试后道生产线已顺利通线。

ReRAM优缺点

ReRAM现在是取代高端嵌入式闪存(eFlash)系列的主要竞争者之一，尽管不太可能是NAND闪存。正如Objective Analysis在其2023年新兴存储器报告中所写，“随着时间的推移，大多数SoC中嵌入的NOR将几乎完全被MRAM、ReRAM、FRAM或PCM取代，这也将有助于推动独立新存储器的成功。”

Rambus Labs高级副总裁Gary Bronner表示：“与嵌入式闪存相比，ReRAM需要更少数量的掩膜来与CMOS工艺集成，可扩展到更小的节点，并且可字节寻址。传统NAND闪存的主要指标是每比特成本，而ReRAM没有竞争力。”

ReRAM受到关注的另一个例子是Weebit Nano的ReRAM现已完全合格并可用于SkyWater Technology的130nm CMOS工艺。

此外，台积电和英飞凌多年来共同开发ReRAM（也称为RRAM），现在将其整合到汽车微控制器中。

“几年前，随着我们向先进工艺节点迈进，我们认为RRAM是嵌入式存储器的正确选择，”英飞凌营销和应用副总裁Sandeep Krishnegowda说道。“这是一种低功耗技术。它是字节寻址的，因此与闪存不同，您可以直接写入。耐用性和保持性能与闪存兼容，并且成本更低。十多年来，我们一直与台积电合作开发RRAM制造技术和算法。我们首先在一些芯片卡中使用RRAM，这些卡用于无现金支付和安全身份验证。在控制器和MCU的消费工业市场中，我们使用此类存储器作为嵌入式闪存的替代品。最近，我们将其带入汽车领域。”

对于芯片卡来说，ReRAM还有另一个优点，即抗辐射、电磁耐受力高。“如果你考虑支付卡以及每个人想要如何提取信息，你就会希望你的记忆力非常强大，”克里什内戈达指出。

与所有内存技术一样，ReRAM也有其漏洞。

IBM首席研究科学家Takashi Ando表示：“ReRAM面临的根本挑战是它比其他材料的噪音更大。”“在氧化物ReRAM中，我们以随机方式移动氧空位。在CBRAM中，我们以随机方式使用阳离子。设备的操作存在一定的随机性，并且伴随着高噪声，因此固有噪声水平是最大的挑战，但与MRAM或其他存储器相比，对外部刺激的免疫力更强。”

Ansys Totem产品经理Takeo Tomine也指出，发热是ReRAM的一个问题。“通常，对于低于7nm的先进技术节点，器件尺寸会缩小，而电源电压(Vdd)保持恒定，从而导致更高的功率密度和更大的金属密度，从而产生更多热量。自热效应是影响ReRAM可靠性和准确性的关键因素。当热量被困在晶体管器件中时，自热变得最严重。对于ReRAM，温度变化会降低R on/R off比，这不利于许多应用（包括人工智能处理）的准确性和可靠性。必须进行仔细的热管理，特别是在不同设备之间功耗不均匀的设计中。然后，必须对产生的热量向附近层和设备的扩散进行建模，以捕获随时间变化的全芯片热图。”

Lin补充道，“ReRAM技术的一个主要挑战是缺乏多物理场（即电热化学问题）的定量物理模型。经验模型确实存在，但缺乏基础物理学。如果没有好的模型，就很难控制或优化制造流程。”