Vishay推出采用源极倒装技术封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。

日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同，导通电阻降低18%，提高了功率密度，同时源极倒装技术将热阻从63°C/W降至56°C/W。此外，SiSD5300DN优值系数比上代器件低35%，从而降低了导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。

PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置，扩大接地焊盘面积，提供更有效的散热路径，有助于降低工作温度。同时，PowerPAK 1212-F减小了开关区范围，有助于降低迹线噪声的影响。另外，PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍，从0.36mm2提高到4.13 mm2，从而改进热性能。PowerPAK1212-F中央栅极结构还简化了单层PCB基板多器件并联的使用。

采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统（BMS）、降压和BLDC转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。

器件经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiSD5300DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。