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近日,据韩媒《The Elec》报道,业内人士透露,日本住友化学子公司东友精密化学(Dongwoo Fine-Chem)向韩国半导体企业表示,由于原材料和劳动力成本上涨,拟提高氟化氪(KrF)和I线光刻胶(i-line PR)价格,增幅因产品而异,约为10%-20%。
但韩国半导体企业对涨价此举表示不满,因为这将可能导致自身企业的价格竞争力下降。代工行业业内人士表示,“如果光刻胶价格上涨,代工厂别无选择,只能将一部分转嫁给客户(无晶圆厂)”,并补充说,“东友精密化学光刻胶价格上涨可能会导致代工厂和整个无晶圆厂行业盈利能力恶化。”
那么,这两款光刻胶材料到底直接影响哪些应用领域呢?
自1959年被发明以来,光刻胶就成为半导体工业最核心的工艺材料。它的产业链可以分为上游原材料,中游制造和下游应用三个环节。上游包括感光树脂、单体、光引发剂及添加助剂等原材料,中游包括PCB光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶的制备,下游是各种光刻胶的应用。
光刻胶按照用途可以分为半导体用光刻胶(IC光刻胶)、面板显示光刻胶和PCB光刻胶,技术难度逐级降低,IC光刻胶的技术壁垒最高。而本次东友精密化学涨价的两款光刻胶都系IC光刻胶的主要品种。
随着IC集成度的提高,世界集成电路的制程工艺水平已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。为适应集成电路线宽不断缩小的要求,光刻胶的波长由紫外宽谱向g线(436nm)→i线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→EUV(13.5nm)的方向转移。
其中,i-line光刻胶是一种用于光刻过程的光敏材料,它对i-line(波长365nm)的紫外光有反应。I线光刻胶适用于中等线宽尺寸的图案制作。具体的适用线宽范围会根据光刻胶的特性、曝光条件和制程要求而有所变化。一般而言,I线光刻胶可实现亚微米级别的线宽,主要可应用于6寸、8寸晶圆生产。
KrF光刻胶则对波长248nm的紫外光比较敏感,适用于8寸晶圆的生产,在当前IC光刻胶的市场需求中占比达到22%,仅次于ArF光刻胶。
长久以来,光刻胶市场主要由东京应化、杜邦、JSR、住友化学和DONGJIM等几大公司把持,尤其是在半导体光刻胶领域,垄断程度更高。就现状来看,我国光刻胶供应链依旧存在较大不稳定,G/I线国产化率为10%,高端的KrF、ArF 国产化率不足5%。
基于光刻胶在芯片制造中的重要性,近年来,我国也一直在加快国产光刻胶替代步伐。(有关国产光刻胶进展,可点击《填补国产ArF光刻胶空白 这家公司历时3年做到了!》了解更多~)对于本次东友精密化学的涨价,在短期内被动消化的基础上,或许将再次推高国产替代的呼声。