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长江存储在美起诉美光8项专利侵权

来源:荣格电子芯片 发布时间:2023-11-14 232
电子芯片设计/电子设计自动化(EDA) 电子芯片设计
11月9日,长江存储对美国芯片制造巨头美光科技公司及其全资子公司美光消费产品集团有限公司提起诉讼,指控美光侵犯了长江存储持有的八项美国专利。

119日,长江存储(Yangtze Memory Technologies Co.,Ltd)对美国芯片制造巨头美光科技公司(Micron Technology,Inc.)及其全资子公司美光消费产品集团有限公司(Micron Consumer Products Group)提起诉讼,指控美光侵犯了长江存储持有的八项美国专利。

 

这八项美国专利号分别为:

"US10,950,623”“US11,501,822”“US10,658,378”“US10,937,806”“US10,861,872”“US11,468,957”“US11,600,342”和“US10,868,031”的专利。

 

这些被指控侵权的专利涉及先进的3D NAND技术,这是一种用于高效存储数据的闪存技术。具体来说,这些专利包括了一系列与3D NAND产品设计、制造和应用相关的创新技术。长江存储指控美光的96层、128层、176层和2323D NAND产品侵犯了它们的专利权,这些产品在市场上占有重要地位,被广泛用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和个人电脑。

 

长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。

 

资料显示,长江存储成立于20167月,总部位于武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。该公司是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。

 

2018年,长江存储量产第一代323D NAND Flash芯片,2019年量产64256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。

 

202210月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

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