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一文科普ASM的碳化硅(SiC)外延沉积工艺设备的技能点

来源:ASM先晶半导体 发布时间:2023-07-19 163
电子芯片电子芯片设计/电子设计自动化(EDA)设计/电子设计自动化(IP类软件) 电子芯片制造
目前ASM主导研发的碳化硅(SiC)外延设备可使电动汽车的碳化硅(SiC)器件具备更持久的电池使用寿命和续航里程。

材料科学有突破

条条大路通罗马

 

在汽车行业电气化进程加速发展的今天,半导体材料在能效管理上屡次升级,已从硅材料升级过度到了碳化硅(SiC)材料。

 

2022年,ASM成功收购了位于意大利的碳化硅(SiC)外延反应器制造商LPE。目前ASM主导研发的碳化硅(SiC)外延设备可使电动汽车的碳化硅(SiC)器件具备更持久的电池使用寿命和续航里程。

 

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节能降耗有新途

分分秒秒增能效

 

凭借前沿的外延工艺水平,ASM可利用碳化硅(SiC)工具将碳化硅材料精确地沉积在裸基板上。由于碳化硅(SiC)材料的带隙更宽,并拥有高击穿电场、高电子饱和速率等先进技能点,可大幅度减少组件尺寸和重量,从而缩短电池充电时间。

 

新品投送有亮点

性能升级更周全

 

ASM碳化硅(SiC)外延产品线以单室外延设备PE106A/PE108 SiC和双室外延设备PE208 SiC为主。

 

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PE106A


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PE108 SiC

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 ASM提供定制化的服务,并将持续关注半导体行业的创新需求,致力于提供更高效、更有竞争力的解决方案!

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