英诺激光产品介绍丨晶圆缺陷检测

随着智能时代的到来，5G通讯、智能汽车、智慧医疗等行业蓬勃发展，我国对芯片制造的需求急剧增加。芯片被誉为信息时代的“发动机”，体现国家高端制造能力。然而，面对国际环境多重不确定性因素及西方长期技术垄断，我国的芯片产业和技术一直处于弱势。2019年以来，我国半导体行业面临愈发严重的科技封锁现状，造成每年万亿元的芯片市场流失。因此发展芯片技术，实现芯片及其产业链国产替代迫在眉睫。

未来三年，全球芯片市场仍然有巨大潜力，全球芯片检测设备市场容量将超80亿美元，中国大陆该市场规模超过30亿美元。英诺激光也投入巨大的科研及生产费用，增强自主创新能力，加速核心技术产业化转移与规模，助力芯片生产关键装备国产化，提升国家高端核心制造能力。

晶圆缺陷检测 

每一颗芯片的核心都是由多种规格的晶圆切割而成，而晶圆本身存在良率问题，因此在生产之前，裸晶圆在晶圆制造商处进行质量鉴定，需要使用光学检测设备识别晶圆缺陷并进行定位、分类、标记及测量晶圆的分拣，辅助和跟踪晶片。当前国产芯片节点正向28nm以下推进，工业技术越先进，对于晶圆检测与控制的技术要求越高，相应的芯片晶圆缺陷检测需在空间分辨、灵敏度和效率等方面加以提升。

首先，检测激光短波长化是提升空间分辨和灵敏度的有效途径；其次，激光的高重频可提高检测效率；而高功率可增加检测吞吐量，实现高效率检测，还可提升检测信号的强度和信噪比。因此，发展高重频、高功率深紫外激光是提升28nm芯片晶圆缺陷检测水平的重要发展方向。

图1

器件制造商使用光学检测系统来检查晶片和掩模是否有颗粒和其他类型的缺陷，并确定这些缺陷在晶片上的XY网格中的位置。用于无图案晶圆缺陷检测的基本原理相对简单。激光束在旋转的晶圆表面上进行径向扫描，以确保光束投射到晶圆表面的所有部分。激光从表面反射，就像从镜子反射一样，如图1所示。这种类型的反射称为镜面反射。当激光束遇到晶片表面的颗粒或其他缺陷时，该缺陷会散射一部分激光。根据照明场分布，散射光可以直接检测（暗场照明）或作为反射光束强度的损失（明场照明）。

图2

晶片的旋转位置和光束的径向位置定义了晶片表面上缺陷的位置。在晶圆检测机台中，使用PMT或CCD以电子方式记录光强度，并生成晶圆表面上散射或反射强度的图，如图2所示。该图提供了有关缺陷大小和位置以及缺陷的信息由于颗粒污染等问题导致的晶片表面的状况。这种方法需要对晶圆台和光学元件进行高精度和可重复的旋转和线性运动控制。

AMT-266-3W-70MHz产品介绍

AMT-266皮秒激光器通过世界领先的倍频技术，可输出深紫外波长266nm，重频达70MHz, 功率最高可达3W，具有可靠的功率稳定性<3%，优越的光束质量(M²<1.2)和卓越的光斑圆度(>90%)，寿命达1.5万小时，可实现优异的激光加工质量。 

AMT-266皮秒系列激光器采用水冷冷却方式，腔体机构坚固，整机防应力设计充分，是性能和稳定性的完美结合，适合各种高挑战性应用场景。AMT-266皮秒系列激光器可以通过内外控制信号触发，实现同步输出功能，广泛应用于芯片晶圆缺陷检测等功能。

AMT-266配置参数 

高重频、大功率深紫外超快激光器是半导体检测设备的核心部件，服务于大口径光学元件表面形貌检测、高分子材料切割和高密度信息存储等领域，技术复用的意义重大，应用于半导体制程的关键环节，在半导体制造产业中发挥着显著的作用。

半导体芯片制造与检测体现了信息技术、先进材料技术、与光刻技术的紧密结合，是国家高端制造能力的展现。因此拥有研发及量化生产国际标准的高重频、高功率深紫外皮秒激光技术，不仅推动我国半导体和集成电路产业一次又一次的技术迭代升级，更旨在打破国外深紫外激光领域的技术垄断，突破我国技术“瓶颈期”的处境，实现技术与核心部件国产化突围，提升我国在高新产业制造领域的综合竞争力。