V 汽车级 p 沟道 MOSFET

来源：荣格国际汽车设计及制造发布时间：2019-04-15 327

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Vishay 推出新款 30V 和 40V 汽车级 p 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET— SQJ407EP 和 SQJ409EP，采用鸥翼引线结构 PowerPAK® SO-8L 封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP 和 SQJ409EP 通过 AEC-Q101 认证，占位面积比 DPAK 封装器件减小 50% 以上，节省 PCB 空间并降低成本，同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构 5 mm×6 mm 封装 MOSFET。

由于需要很高功率，12V 汽车系统马达驱动和主电源要求 MOSFET 在各种应用中具有极低的导通电阻，如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP 和 -40 V SQJ409EP 在 10 V 条件下，导通电阻分别为 4.4 m 和 7.0 m，完全可以满足这种要求。此外，作为 p 沟道 MOSFET，两款器件是理想的负载开关，不需要电荷泵提供 n 沟道器件所需的正向栅压。

日前发布的 MOSFET 工作温度可达 +175 ℃，同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力，与刚性 QFN 封装相比，具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测 (AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。

器件采用无铅 (Pb) 、无卤素封装、经过 100 % Rg 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准。

网址：www.vishay.com

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