半导体所授权专利荣获第二十届中国专利金奖

12月25日，第二十届中国专利奖颁奖大会在北京隆重召开，半导体研究所郑婉华课题组授权专利“低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列”荣获第二十届中国专利金奖，这中科院半导体研究所首次荣获中国专利金奖。

“低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列”专利是基于半导体光子晶体激光芯片，通过在传统半导体激光外延中引入垂直方向和水平方向的啁啾光子晶体结构，在保证激光高输出效率的同时，有效解决了传统半导体激光芯片发散角大，亮度低等共性问题，该发明与传统光电子芯片制备技术相兼容，适合于广泛推广。获奖专利技术采用人工微结构功能材料，属未来高端半导体激光芯片发展的新方向，为我国突破高端激光芯片壁垒提供了自主制造新方案。

  据悉，"中国专利奖"由国家知识产权局于1989年设立，每年评选一次，是中国唯一的专门对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖，得到联合国世界知识产权组织(WIPO)的认可，在国际上有一定的影响。第二十届中国专利奖共评选出中国专利金奖30项，中国外观设计金奖10项，中国专利银奖60项，中国外观设计银奖15项，中国专利优秀奖预获奖项目698项，中国外观设计优秀奖预获奖项目61项。